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电子元器件详细资料 » IC[28772] » SIZ902DT-T1-GE3
型号:SIZ902DT-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-PowerWDFN描述:MOSFET N-CH 30V DUAL D-S

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C16A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C12 毫欧 @ 13.8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs21nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds790pF @ 15V
功率_最大29W,66W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerWDFN
供应商设备封装8-PowerPair?
包装带卷 (TR)

SIZ902DT-T1-GE3相关型号

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