型号:SIZ902DT-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-PowerWDFN | 描述:MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 16A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 12 毫欧 @ 13.8A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 21nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 790pF @ 15V |
功率_最大 | 29W,66W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
供应商设备封装 | 8-PowerPair? |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
深圳市壹芯创科技有限公司 | 朱先生0755-82780082 |
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深圳芯捷达利科技有限公司 | 郭13392169245 |
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